功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
STB20PF75T4
STB210NF02T4
STB21N65M5
STB21N90K5
STB21NK50Z
STB21NK50ZT4
STB21NM50N
STB21NM50N-1
STB21NM50N-1STB25NM50N-1
STB21NM60N
您可以:
1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索
2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购